Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT4LC16M4G3TG-6S

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MT4LC16M4G3TG-6S: 产品描述EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32; 产品类别存储存储; 文件大小497KB，共22页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT4LC16M4G3TG-6S概述

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32

MT4LC16M4G3TG-6S规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
零件包装代码	TSOP
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32
针数	32
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
JESD-609代码	e0
长度	20.96 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP32,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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16 MEG x 4

EDO DRAM

DRAM

FEATURES

• Single +3.3V ±0.3V power supply

• Industry-standard x4 pinout, timing, functions,

and packages

• 12 row, 12 column addresses (H9) or

13 row, 11 column addresses (G3)

• High-performance CMOS silicon-gate process

• All inputs, outputs and clocks are LVTTL-compat-

ible

• Extended Data-Out (EDO) PAGE MODE access

• Optional self refresh (S) for low-power data

retention

• 4,096-cycle CAS#-BEFORE-RAS# (CBR) REFRESH

distributed across 64ms

MT4LC16M4G3, MT4LC16M4H9

For the latest data sheet, please refer to the Micron Web

site:

www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html

PIN ASSIGNMENT (Top View)

32-Pin SOJ

DQ0

DQ1

WE#

RAS#

32-Pin TSOP

DQ0

DQ1

WE#

RAS#

Vss

DQ3

DQ2

CAS#

OE#

NC/A12**

A11

A10

Vss

OPTIONS

• Refresh Addressing

4,096 (4K) rows

8,192 (8K) rows

• Plastic Packages

32-pin SOJ (400 mil)

32-pin TSOP (400 mil)

• Timing

50ns access

60ns access

• Refresh Rates

Standard Refresh

Self Refresh (128ms period)

MARKING

-5

-6

None

Vss

DQ3

DQ2

CAS#

OE#

NC/A12**

A11

A10

Vss

**NC on H9 version, A12 on G3 version

16 MEG x 4 EDO DRAM PART NUMBERS

PART NUMBER

MT4LC16M4H9DJ-x

MT4LC16M4H9DJ-x S

MT4LC16M4H9TG-x

MT4LC16M4H9TG-x S

MT4LC16M4G3DJ-x

MT4LC16M4G3DJ-x S

MT4LC16M4G3TG-x

MT4LC16M4G3TG-x S

x = speed

REFRESH

ADDRESSING

PACKAGE

SOJ

TSOP

SOJ

TSOP

REFRESH

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

Standard

Self

NOTE:

1. The 16 Meg x 4 EDO DRAM base number

differentiates the offerings in one place—

MT4LC16M4H9. The fifth field distinguishes the

address offerings: H9 designates 4K addresses and

G3 designates 8K addresses.

2. The “#” symbol indicates signal is active LOW.

*Contact factory for availability

Part Number Example:

GENERAL DESCRIPTION

The 16 Meg x 4 DRAM is a high-speed CMOS,

dynamic random-access memory device containing

67,108,864 bits and designed to operate from 3V to

3.6V. The MT4LC16M4H9 and MT4LC16M4G3 are

functionally organized as 16,777,216 locations con-

taining 4 bits each. The 16,777,216 memory locations

are arranged in 4,096 rows by 4,096 columns on the H9

version and 8,192 rows by 2,048 columns on the G3

version. During READ or WRITE cycles, each location is

MT4LC16M4H9DJ-6

KEY TIMING PARAMETERS

SPEED

-5

-6

RAC

CAC

CAS

84ns

104ns

50ns

60ns

20ns

25ns

30ns

13ns

15ns

8ns

10ns

16 Meg x 4 EDO DRAM

D22_2.p65 – Rev. 5/00

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

MT4LC16M4G3TG-6S相似产品对比

	MT4LC16M4G3TG-6S	MT4LC16M4H9DJ-6	MT4LC16M4G3DJ-6S	MT4LC16M4G3DJ-5	MT4LC16M4G3DJ-5S	MT4LC16M4H9TG-6	MT4LC16M4H9TG-6S	MT4LC16M4H9DJ-5	MT4LC16M4H9DJ-5S	MT4LC16M4G3DJ-6
描述	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
零件包装代码	TSOP	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP	TSOP	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32	0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	60 ns	60 ns	50 ns	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns	50 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20.96 mm	20.98 mm	20.98 mm	20.98 mm	20.98 mm	20.96 mm	20.96 mm	20.98 mm	20.98 mm	20.98 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4	16MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	TSOP32,.46	SOJ32,.44	SOJ32,.44	SOJ32,.44	SOJ32,.44	TSOP32,.46	TSOP32,.46	SOJ32,.44	SOJ32,.44	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	235	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	4096	8192	8192	8192	4096	4096	4096	4096	8192
座面最大高度	1.2 mm	3.68 mm	3.68 mm	3.68 mm	3.68 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.68 mm	3.68 mm	3.68 mm
自我刷新	YES	NO	YES	NO	YES	NO	YES	NO	YES	NO
最大待机电流	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A
最大压摆率	0.15 mA	0.16 mA	0.15 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.21 mm	10.21 mm	10.21 mm	10.21 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.21 mm	10.21 mm	10.21 mm

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美光：存储器产业门槛高大陆厂商短期内难追赶

　　中国大陆积极发展存储器，并向美商美光大举挖角，美光全球制造资深副总裁艾伦(Wayne Allan)昨(24)日表示，发展存储器的门槛难度高，美光拥有40年制造经验与丰富知识产权(IP)，以及优秀人才，不是大陆短期内就能赶上。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　有关中美贸易战升高，艾伦强调，正密切关注事件发展，会多方考量及评估风险，但目前还看不出有负面影响。...[详细]

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