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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT4LC16M4H9TG-6
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MT4LC16M4H9TG-6

产品描述EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32
产品类别存储    存储   
文件大小497KB，共22页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT4LC16M4H9TG-6概述

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32

MT4LC16M4H9TG-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP
包装说明0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32
针数32
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.96 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）235
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10.16 mm

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16 MEG x 4
EDO DRAM
DRAM
FEATURES
• Single +3.3V ±0.3V power supply
• Industry-standard x4 pinout, timing, functions,
and packages
• 12 row, 12 column addresses (H9) or
13 row, 11 column addresses (G3)
• High-performance CMOS silicon-gate process
• All inputs, outputs and clocks are LVTTL-compat-
ible
• Extended Data-Out (EDO) PAGE MODE access
• Optional self refresh (S) for low-power data
retention
• 4,096-cycle CAS#-BEFORE-RAS# (CBR) REFRESH
distributed across 64ms
MT4LC16M4G3, MT4LC16M4H9
For the latest data sheet, please refer to the Micron Web
site:
www.micronsemi.com/mti/msp/html/datasheet.html
PIN ASSIGNMENT (Top View)
32-Pin SOJ
V
CC
DQ0
DQ1
NC
NC
NC
NC
WE#
RAS#
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
32-Pin TSOP
V
CC
DQ0
DQ1
NC
NC
NC
NC
WE#
RAS#
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
Vss
DQ3
DQ2
NC
NC
NC
CAS#
OE#
NC/A12**
A11
A10
A9
A8
A7
A6
Vss
OPTIONS
• Refresh Addressing
4,096 (4K) rows
8,192 (8K) rows
• Plastic Packages
32-pin SOJ (400 mil)
32-pin TSOP (400 mil)
• Timing
50ns access
60ns access
• Refresh Rates
Standard Refresh
Self Refresh (128ms period)
MARKING
H9
G3
DJ
TG
-5
-6
None
S*
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
Vss
DQ3
DQ2
NC
NC
NC
CAS#
OE#
NC/A12**
A11
A10
A9
A8
A7
A6
Vss
**NC on H9 version, A12 on G3 version
16 MEG x 4 EDO DRAM PART NUMBERS
PART NUMBER
MT4LC16M4H9DJ-x
MT4LC16M4H9DJ-x S
MT4LC16M4H9TG-x
MT4LC16M4H9TG-x S
MT4LC16M4G3DJ-x
MT4LC16M4G3DJ-x S
MT4LC16M4G3TG-x
MT4LC16M4G3TG-x S
x = speed
REFRESH
ADDRESSING
4K
4K
4K
4K
8K
8K
8K
8K
PACKAGE
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
SOJ
SOJ
TSOP
TSOP
REFRESH
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
NOTE:
1. The 16 Meg x 4 EDO DRAM base number
differentiates the offerings in one place—
MT4LC16M4H9. The fifth field distinguishes the
address offerings: H9 designates 4K addresses and
G3 designates 8K addresses.
2. The “#” symbol indicates signal is active LOW.
*Contact factory for availability
Part Number Example:
GENERAL DESCRIPTION
The 16 Meg x 4 DRAM is a high-speed CMOS,
dynamic random-access memory device containing
67,108,864 bits and designed to operate from 3V to
3.6V. The MT4LC16M4H9 and MT4LC16M4G3 are
functionally organized as 16,777,216 locations con-
taining 4 bits each. The 16,777,216 memory locations
are arranged in 4,096 rows by 4,096 columns on the H9
version and 8,192 rows by 2,048 columns on the G3
version. During READ or WRITE cycles, each location is
MT4LC16M4H9DJ-6
KEY TIMING PARAMETERS
SPEED
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
16 Meg x 4 EDO DRAM
D22_2.p65 – Rev. 5/00
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2000, Micron Technology, Inc.

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描述 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 TSOP SOJ SOJ SOJ SOJ TSOP TSOP SOJ SOJ SOJ
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-32 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20.96 mm 20.98 mm 20.98 mm 20.98 mm 20.98 mm 20.96 mm 20.96 mm 20.98 mm 20.98 mm 20.98 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4 16MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOJ SOJ SOJ SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ SOJ
封装等效代码 TSOP32,.46 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44 TSOP32,.46 TSOP32,.46 SOJ32,.44 SOJ32,.44 SOJ32,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 235 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 8192 8192 8192 4096 8192 4096 4096 8192
座面最大高度 1.2 mm 3.68 mm 3.68 mm 3.68 mm 3.68 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.68 mm 3.68 mm 3.68 mm
自我刷新 NO NO YES NO YES YES YES NO YES NO
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最大压摆率 0.16 mA 0.16 mA 0.15 mA 0.16 mA 0.16 mA 0.16 mA 0.15 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.13 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING J BEND J BEND J BEND J BEND GULL WING GULL WING J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.21 mm 10.21 mm 10.21 mm 10.21 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.21 mm 10.21 mm 10.21 mm

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  8. M55342M12B220HPS63
  9. PG4001-AU_AD_00001
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