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TC51V17805CST-60

产品描述IC 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28, Dynamic RAM
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文件大小885KB,共27页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC51V17805CST-60概述

IC 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28, Dynamic RAM

TC51V17805CST-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2,
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G28
长度18.41 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度7.7 mm

TC51V17805CST-60相似产品对比

TC51V17805CST-60 TC51V17805CST-50 TC51V17805CJ-60 TC51V17805CFT-60 TC51V17805CFT-50 TC51V17805CJ-50
描述 IC 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28, Dynamic RAM IC 2M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO28, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28, Dynamic RAM IC 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28, Dynamic RAM IC 2M X 8 EDO DRAM, 60 ns, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28, Dynamic RAM IC 2M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28, Dynamic RAM IC 2M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28, Dynamic RAM
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 TSOP TSOP SOJ TSOP TSOP SOJ
包装说明 TSOP2, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28
针数 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 50 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28
长度 18.41 mm 18.41 mm 18.42 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.42 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 3.7 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.7 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING J BEND GULL WING GULL WING J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.7 mm 7.7 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm

 
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