电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MT49H16M36BM-18:B

产品描述DDR DRAM, 16MX36, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共78页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT49H16M36BM-18:B概述

DDR DRAM, 16MX36, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144

MT49H16M36BM-18:B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明LEAD FREE, UBGA-144
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间15 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B144
JESD-609代码e1
长度18.5 mm
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA144,12X18,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.055 A
最大压摆率0.885 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11 mm

文档预览

下载PDF文档
576Mb: x9, x18, x36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, CIO, RLDRAM 2
Features
CIO
®
RLDRAM
2
MT49H64M9 – 64 Meg x 9 x 8 Banks
MT49H32M18 – 32 Meg x 18 x 8 Banks
MT49H16M36 – 16 Meg x 36 x 8 Banks
Features
• 533 MHz DDR operation (1.067 Gb/s/pin data rate)
• 38.4 Gb/s peak bandwidth (x36 at 533 MHz clock
frequency)
• Organization
64 Meg x 9, 32 Meg x 18, and 16 Meg x 36 I/O
8 banks
• Reduced cycle time (15ns at 533 MHz)
• Nonmultiplexed addresses (address multiplexing
option available)
• SRAM-type interface
• Programmable READ latency (RL), row cycle time,
and burst sequence length
• Balanced READ and WRITE latencies in order to
optimize data bus utilization
• Data mask for WRITE commands
• Differential input clocks (CK, CK#)
• Differential input data clocks (DKx, DKx#)
• On-die DLL generates CK edge-aligned data and
output data clock signals
• Data valid signal (QVLD)
• 32ms refresh (16K refresh for each bank; 128K refresh
command must be issued in total each 32ms)
• 144-ball µBGA package
• HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal)
• 25–60 matched impedance outputs
• 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.5V or 1.8V V
DDQ
I/O
• On-die termination (ODT) R
TT
Options
1
• Clock cycle timing
1.875ns @
t
RC = 15ns
2.5ns @
t
RC = 15ns
2.5ns @
t
RC = 20ns
3.3ns @
t
RC = 20ns
• Configuration
64 Meg x 9
32 Meg x 18
16 Meg x 36
• Operating temperature
Commercial (0° to +95°C)
Industrial (T
C
= –40°C to +95°C;
T
A
= –40°C to +85°C)
• Package
144-ball µBGA
144-ball µBGA (Pb-free)
Marking
-18
-25E
-25
-33
64M9
32M18
16M36
None
IT
FM
BM
• Revision
:A/:B
Notes: 1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the part cata-
log search on
www.micron.com
for available
offerings.
PDF: 09005aef80fe62fb/Source: 09005aef809f284b
576Mb_RLDRAM_2_CIO_D1.fm - Rev. J 10/12 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

MT49H16M36BM-18:B相似产品对比

MT49H16M36BM-18:B MT49H32M18FM-25E:B MT49H16M36BM-18IT MT49H16M36FM-25:B MT49H16M36BM-25IT MT49H16M36BM-25E:B MT49H64M9CBM-25E:B
描述 DDR DRAM, 16MX36, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144 DDR DRAM, 32MX18, 15ns, CMOS, PBGA144, UBGA-144 DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, MICRO, BGA-144 DDR DRAM, 16MX36, 20ns, CMOS, PBGA144, UBGA-144 DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, MICRO, BGA-144 DDR DRAM, 16MX36, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144 DDR DRAM, 64MX9, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合 符合 符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 LEAD FREE, UBGA-144 UBGA-144 VBGA, UBGA-144 VBGA, LEAD FREE, UBGA-144 LEAD FREE, UBGA-144
针数 144 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant not_compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144
JESD-609代码 e1 e0 e1 e0 e1 e1 e1
长度 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm
内存密度 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 36 18 36 36 36 36 9
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144 144
字数 16777216 words 33554432 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 67108864 words
字数代码 16000000 32000000 16000000 16000000 16000000 16000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 16MX36 32MX18 16MX36 16MX36 16MX36 16MX36 64MX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TBGA VBGA TBGA VBGA TBGA TBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 0.93 mm 1.2 mm 0.93 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
最长访问时间 15 ns 15 ns - 20 ns - 15 ns 15 ns
最大时钟频率 (fCLK) 533 MHz 400 MHz - 400 MHz - 400 MHz 400 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON - COMMON SEPARATE
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 BGA144,12X18,40/32 BGA144,12X18,40/32 - BGA144,12X18,40/32 - BGA144,12X18,40/32 BGA144,12X18,40/32
峰值回流温度(摄氏度) 260 - 260 - 260 NOT SPECIFIED -
电源 1.5/1.8,1.8,2.5 V 1.5/1.8,1.8,2.5 V - 1.5/1.8,1.8,2.5 V - 1.5/1.8,1.8,2.5 V 1.5/1.8,1.8,2.5 V
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 - 2,4,8 - 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.055 A 0.055 A - 0.055 A - 0.055 A 0.005 A
最大压摆率 0.885 mA 0.655 mA - 0.7 mA - 0.7 mA 0.655 mA
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - 30 - 30 NOT SPECIFIED -
STM32测姿态——基本知识,旋转矩阵、欧拉角、四元数
这部分这几天在看,主要参考买的机器人书和 秦永元——惯性导航,这本老书,堪称经典。机器人书在介绍到四元数的时候非常简单的带过了,惯性导航这本书后面有详细的介绍。实际上, ......
wbhb2011 机器人开发
【RT-Thread读书笔记】7. RT-Thread 学习8-12章读后感
【RT-Thread读书笔记】7. RT-Thread 学习8-12章读后感 第8章 对象容器的实现第9章 空闲线程与阻塞延时的实现 第10章 支持多优先级 第11章 定时器的实现 第12章 支持时间片 ------------ ......
传媒学子 实时操作系统RTOS
CCS编译出错,求高手指点!!!!!!!!
使用CCS3.3进行编译却一直出现这个问题,换了很多种不同的.lib文件还是不行,这几种变量已经在globalvariaties.h中定义,求高手指点,如图 ...
嗜睡的样2 DSP 与 ARM 处理器
2013年电子竞赛k题探讨
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:38 编辑 K题当中选用什么传感器比较好用呢 ...
朕知道了 电子竞赛
S3C2410 串口通讯问题
最近本人编写了一个简单串口程序,只是发送,PC的软件接收。但是几天下来,都不成功,调试时PC软件根本接收不到,汗 !!! 现在把代码贴出来,请大家帮忙指点。 #include "2410addr.h" ......
yy0216 嵌入式系统
想做一个GSM或者CDMA短信转发给无线接收机的东东,可没什么思路,哪们大侠帮个忙?
想做一个GSM或者CDMA短信转发给无线接收机的东东,主要实现:1、短信模块负责接收短信,2、和这个模块相连的一个无线转发,3、一个接收机接收,并显示短信。 有没有什么好建议,好的话不白用哟 ......
shjdzgy 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 103  2683  1447  1211  716  3  55  30  25  15 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved