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MT49H16M36BM-18IT

产品描述DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, MICRO, BGA-144
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文件大小3MB,共78页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT49H16M36BM-18IT概述

DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, MICRO, BGA-144

MT49H16M36BM-18IT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明VBGA,
针数144
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B144
JESD-609代码e1
长度18.5 mm
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织16MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.93 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11 mm

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576Mb: x9, x18, x36 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, CIO, RLDRAM 2
Features
CIO
®
RLDRAM
2
MT49H64M9 – 64 Meg x 9 x 8 Banks
MT49H32M18 – 32 Meg x 18 x 8 Banks
MT49H16M36 – 16 Meg x 36 x 8 Banks
Features
• 533 MHz DDR operation (1.067 Gb/s/pin data rate)
• 38.4 Gb/s peak bandwidth (x36 at 533 MHz clock
frequency)
• Organization
64 Meg x 9, 32 Meg x 18, and 16 Meg x 36 I/O
8 banks
• Reduced cycle time (15ns at 533 MHz)
• Nonmultiplexed addresses (address multiplexing
option available)
• SRAM-type interface
• Programmable READ latency (RL), row cycle time,
and burst sequence length
• Balanced READ and WRITE latencies in order to
optimize data bus utilization
• Data mask for WRITE commands
• Differential input clocks (CK, CK#)
• Differential input data clocks (DKx, DKx#)
• On-die DLL generates CK edge-aligned data and
output data clock signals
• Data valid signal (QVLD)
• 32ms refresh (16K refresh for each bank; 128K refresh
command must be issued in total each 32ms)
• 144-ball µBGA package
• HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal)
• 25–60 matched impedance outputs
• 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, 1.5V or 1.8V V
DDQ
I/O
• On-die termination (ODT) R
TT
Options
1
• Clock cycle timing
1.875ns @
t
RC = 15ns
2.5ns @
t
RC = 15ns
2.5ns @
t
RC = 20ns
3.3ns @
t
RC = 20ns
• Configuration
64 Meg x 9
32 Meg x 18
16 Meg x 36
• Operating temperature
Commercial (0° to +95°C)
Industrial (T
C
= –40°C to +95°C;
T
A
= –40°C to +85°C)
• Package
144-ball µBGA
144-ball µBGA (Pb-free)
Marking
-18
-25E
-25
-33
64M9
32M18
16M36
None
IT
FM
BM
• Revision
:A/:B
Notes: 1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the part cata-
log search on
www.micron.com
for available
offerings.
PDF: 09005aef80fe62fb/Source: 09005aef809f284b
576Mb_RLDRAM_2_CIO_D1.fm - Rev. J 10/12 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.

MT49H16M36BM-18IT相似产品对比

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描述 DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, MICRO, BGA-144 DDR DRAM, 32MX18, 15ns, CMOS, PBGA144, UBGA-144 DDR DRAM, 16MX36, 20ns, CMOS, PBGA144, UBGA-144 DDR DRAM, 16MX36, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144 DDR DRAM, 16MX36, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, MICRO, BGA-144 DDR DRAM, 16MX36, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144 DDR DRAM, 64MX9, 15ns, CMOS, PBGA144, LEAD FREE, UBGA-144
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 VBGA, UBGA-144 UBGA-144 LEAD FREE, UBGA-144 VBGA, LEAD FREE, UBGA-144 LEAD FREE, UBGA-144
针数 144 144 144 144 144 144 144
Reach Compliance Code compliant not_compliant not_compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144 R-PBGA-B144
JESD-609代码 e1 e0 e0 e1 e1 e1 e1
长度 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm 18.5 mm
内存密度 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 36 18 36 36 36 36 9
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 144 144 144 144 144 144 144
字数 16777216 words 33554432 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 67108864 words
字数代码 16000000 32000000 16000000 16000000 16000000 16000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 16MX36 32MX18 16MX36 16MX36 16MX36 16MX36 64MX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 VBGA TBGA TBGA TBGA VBGA TBGA TBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 0.93 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 0.93 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm 11 mm
峰值回流温度(摄氏度) 260 - - 260 260 NOT SPECIFIED -
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
处于峰值回流温度下的最长时间 30 - - 30 30 NOT SPECIFIED -
最长访问时间 - 15 ns 20 ns 15 ns - 15 ns 15 ns
最大时钟频率 (fCLK) - 400 MHz 400 MHz 533 MHz - 400 MHz 400 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON - COMMON SEPARATE
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - BGA144,12X18,40/32 BGA144,12X18,40/32 BGA144,12X18,40/32 - BGA144,12X18,40/32 BGA144,12X18,40/32
电源 - 1.5/1.8,1.8,2.5 V 1.5/1.8,1.8,2.5 V 1.5/1.8,1.8,2.5 V - 1.5/1.8,1.8,2.5 V 1.5/1.8,1.8,2.5 V
连续突发长度 - 2,4,8 2,4,8 2,4,8 - 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 - 0.055 A 0.055 A 0.055 A - 0.055 A 0.005 A
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