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2N3792E3

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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2N3792E3概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

2N3792E3规格参数

参数名称属性值
Objectid8059220303
包装说明TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4 MHz
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