FIFO, 32KX18, 8ns, Synchronous, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-68 |
| 针数 | 68 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 8 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
| 周期时间 | 10 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.2316 mm |
| 内存密度 | 589824 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 68 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 32KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 24.2316 mm |
| CY7C4275-10JI | CY7C4275-25JC | CY7C4285-10JC | |
|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 32KX18, 8ns, Synchronous, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | FIFO, 32KX18, 15ns, Synchronous, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | FIFO, 64KX18, 8ns, Synchronous, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | LCC | LCC | LCC |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-68 | PLASTIC, LCC-68 | PLASTIC, LCC-68 |
| 针数 | 68 | 68 | 68 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 8 ns | 15 ns | 8 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | 40 MHz | 100 MHz |
| 周期时间 | 10 ns | 25 ns | 10 ns |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 24.2316 mm | 24.2316 mm | 24.2316 mm |
| 内存密度 | 589824 bit | 589824 bit | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 68 | 68 | 68 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 65536 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 64000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX18 | 32KX18 | 64KX18 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 225 | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.055 mA | 0.05 mA | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 24.2316 mm | 24.2316 mm | 24.2316 mm |
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