DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 10 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA84,9X15,32 |
针数 | 84 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 333 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B84 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 12.5 mm |
内存密度 | 536870912 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 84 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA84,9X15,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 4,8 |
最大待机电流 | 0.007 A |
最大压摆率 | 0.34 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 10 mm |
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