EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | , |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 200 ns |
其他特性 | 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
Base Number Matches | 1 |
5962-9315401HXX | |
---|---|
描述 | EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32 |
零件包装代码 | DIP |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
最长访问时间 | 200 ns |
其他特性 | 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION |
数据保留时间-最小值 | 10 |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T32 |
内存密度 | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 128KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
Base Number Matches | 1 |
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