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5962-9315401HXX

产品描述EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32
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文件大小409KB,共12页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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5962-9315401HXX概述

EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32

5962-9315401HXX规格参数

参数名称属性值
零件包装代码DIP
包装说明,
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间200 ns
其他特性10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION
数据保留时间-最小值10
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CDIP-T32
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型EEPROM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

5962-9315401HXX相似产品对比

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描述 EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, SINGLE CAVITY, CERAMIC, DIP-32
零件包装代码 DIP
针数 32
Reach Compliance Code compli
ECCN代码 3A001.A.2.C
最长访问时间 200 ns
其他特性 10000 WRITE ENDURANCE CYCLES; 10 YEARS OF DATA RETENTION
数据保留时间-最小值 10
耐久性 10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-CDIP-T32
内存密度 1048576 bi
内存集成电路类型 EEPROM MODULE
内存宽度 8
功能数量 1
端子数量 32
字数 131072 words
字数代码 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -55 °C
组织 128KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
编程电压 5 V
认证状态 Not Qualified
筛选级别 MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms
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