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CY27H010-45WMB

产品描述128KX8 UVPROM, 45ns, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32
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文件大小895KB,共9页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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CY27H010-45WMB概述

128KX8 UVPROM, 45ns, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32

CY27H010-45WMB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

CY27H010-45WMB相似产品对比

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描述 128KX8 UVPROM, 45ns, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 128KX8 UVPROM, 55ns, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 128KX8 UVPROM, 70ns, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 128KX8 OTPROM, 45ns, PDSO32, TSOP1-32 128KX8 OTPROM, 45ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 128KX8 OTPROM, 55ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 128KX8 OTPROM, 70ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 DIP DIP DIP TSOP1 DIP DIP DIP
包装说明 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 0.600 INCH, WINDOWED, HERMETIC SEALED, CERDIP-32 TSOP1-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最长访问时间 45 ns 55 ns 70 ns 45 ns 45 ns 55 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32 R-GDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 UVPROM UVPROM UVPROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP SOP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225 225
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD NOT SPECIFIED TIN LEAD NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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