EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
包装说明 | 0.169 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
长度 | 4.4 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | AEC-Q100 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000005 A |
最大压摆率 | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
M24256WDW3TP/AB | M24256WMN3TP/AB | M24256WMN3P/AB | M24256WDW3P/AB | |
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描述 | EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDSO8 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
包装说明 | 0.169 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 | SOP, SOP8,.25 | SOP, | 0.169 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSSOP-8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
长度 | 4.4 mm | 4.9 mm | 4.9 mm | 4.4 mm |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP | SOP | SOP | TSSOP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | 1.2 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C | I2C | I2C |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
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