IC 32K X 9 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.3 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
| 最长访问时间 | 12 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 40 mm |
| 内存密度 | 294912 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 32KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.45 mm |
| 最大压摆率 | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm |
| TC55B329P-12 | TC55B329J-10 | TC55B329J-12 | TC55B329P-10 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | IC 32K X 9 CACHE SRAM, 12 ns, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM | IC 32K X 9 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | IC 32K X 9 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | IC 32K X 9 CACHE SRAM, 10 ns, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
| 零件包装代码 | DIP | SOJ | SOJ | DIP |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 12 ns | 10 ns | 12 ns | 10 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 40 mm | 20.96 mm | 20.96 mm | 40 mm |
| 内存密度 | 294912 bit | 294912 bit | 294912 bit | 294912 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 9 | 9 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 32KX9 | 32KX9 | 32KX9 | 32KX9 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOJ | SOJ | DIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | 240 | 240 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.45 mm | 3.7 mm | 3.7 mm | 4.45 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES | NO |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.7 mm | 7.7 mm | 7.62 mm |
微控制器 MCU
电子竞赛
微控制器 MCU
51单片机
RF/无线
微控制器 MCU
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
