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6116LA20TD

产品描述Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
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文件大小560KB,共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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6116LA20TD概述

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24

6116LA20TD规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, CERAMIC, DIP-24
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间19 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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