QS8888-12LR,QS8888-12LR pdf中文资料,QS8888-12LR引脚图,QS8888-12LR电路-Datasheet-电子工程世界

QS8888-12LR: 产品描述Cache Tag SRAM, 16KX4, 12ns, CMOS, CQCC22,; 产品类别存储存储; 文件大小330KB，共8页; 制造商Quality Semiconductor Inc

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QS8888-12LR概述

Cache Tag SRAM, 16KX4, 12ns, CMOS, CQCC22,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Quality Semiconductor Inc
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N22
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX4
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC22,.3X.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.135 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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