IDT7187S35DB,IDT7187S35DB pdf中文资料,IDT7187S35DB引脚图,IDT7187S35DB电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7187S35DB: 产品描述Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22; 产品类别存储存储; 文件大小86KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7187S35DB概述

Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22

IDT7187S35DB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
针数	22
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T22
JESD-609代码	e0
长度	27.051 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	22
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	64KX1
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	7.62 mm

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描述	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 85ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 70ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 70ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, CDIP22, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	DIP, DIP22,.3	0.300 INCH, CERAMIC, DIP-22
针数	22	22	22	22	22	22
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns	25 ns	85 ns	70 ns	70 ns	35 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22	R-GDIP-T22
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm	27.051 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	22	22	22	22	22	22
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1	64KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3	DIP22,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B	MIL-STD-883 Class B
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.02 A	0.0006 A	0.0006 A	0.0006 A	0.02 A	0.0006 A
最小待机电流	4.5 V	2 V	2 V	2 V	4.5 V	2 V
最大压摆率	0.12 mA	0.11 mA	0.09 mA	0.09 mA	0.12 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	-	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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