CMPT5401TR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

CMPT5401TR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	150 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.5 V

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	CMPT5401TR	CMPT5401TRLEADFREE	CMPT5401BK	CMPT5401BKLEADFREE	CMPT5401TR13LEADFREE	CMPT5401TR13
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	符合	符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	unknown	compliant	compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
基于收集器的最大容量	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF	6 pF
集电极-发射极最大电压	150 V	150 V	150 V	150 V	150 V	150 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	60	60	60	60	60	50
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e3	e0	e3	e3	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	TIN LEAD	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	10	NOT SPECIFIED	10	10	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
VCEsat-Max	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V
厂商名称	Central Semiconductor	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W	0.35 W	0.35 W	-	-

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