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TN6727AD74Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小28KB,共3页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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TN6727AD74Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226,

TN6727AD74Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-226
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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TN6727A
TN6727A
CB
E
TO-226
PNP General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to
1A. Sourced from Process 77. See TN6726A for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
stg
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
T
A = 25°C unless otherwise noted
Value
40
50
5
1.5
-55 to +150
Units
V
V
V
A
°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
T
A = 25°C unless otherwise noted
Max
Characteristic
TN6727A
P
D
R
θJC
R
θJA
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1
8
50
125
W
mW/°C
°C/W
°C/W
Units
©
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
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TN6727AD74Z相似产品对比

TN6727AD74Z TN6727A-J61Z TN6727AJ05Z TN6727AJ18Z TN6727AD27Z TN6727AD75Z TN6727AD26Z
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226, Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AE, TO-226, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AE, TO-226, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226 Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226,
Reach Compliance Code compliant unknown compliant unknown unknown unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
配置 SINGLE Single SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50 50 50 50 50
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 - - - 不符合
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 40 V - 40 V 40 V 40 V 40 V 40 V
JEDEC-95代码 TO-226 - TO-226AE TO-226AE TO-226 TO-226 TO-226
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 - O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 3 - 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W - - - 1 W
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
包装说明 - , TO-226, 3 PIN CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 -
Base Number Matches - 1 1 1 1 - -
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