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TN6727AJ18Z: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AE, TO-226, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小28KB，共3页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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TN6727AJ18Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AE, TO-226, 3 PIN

TN6727AJ18Z规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-92
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1.5 A
集电极-发射极最大电压	40 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50
JEDEC-95代码	TO-226AE
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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TN6727A

TO-226

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to

1A. Sourced from Process 77. See TN6726A for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

Symbol

CES

CBO

EBO

stg

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

A = 25°C unless otherwise noted

Value

1.5

-55 to +150

Units

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

A = 25°C unless otherwise noted

Max

Characteristic

TN6727A

θJC

θJA

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

125

mW/°C

°C/W

Units

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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描述	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AE, TO-226, 3 PIN	Transistor	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226AE, TO-226, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226,	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	compliant	unknown	compliant	unknown	compliant
最大集电极电流 (IC)	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
配置	SINGLE	Single	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50	50	50	50	50	50	50
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	,	TO-226, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	-	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	-
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
集电极-发射极最大电压	40 V	-	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V
JEDEC-95代码	TO-226AE	-	TO-226AE	TO-226	TO-226	TO-226	TO-226
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	-	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	3	-	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	-	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
端子形式	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-	-
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	-	符合	-	不符合
最大功率耗散 (Abs)	-	1 W	1 W	-	1 W	-	1 W

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