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TBP18S030MJ

产品描述32X8 OTPROM, 50ns, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
产品类别存储    存储   
文件大小246KB,共6页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

TBP18S030MJ概述

32X8 OTPROM, 50ns, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

TBP18S030MJ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明CERAMIC, DIP-16
针数16
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间50 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T16
长度19.56 mm
内存密度256 bit
内存集成电路类型OTP ROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量16
字数32 words
字数代码32
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32X8
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

TBP18S030MJ相似产品对比

TBP18S030MJ TBP18SA030MJ TBP18SA030J
描述 32X8 OTPROM, 50ns, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 32X8 OTPROM, 50ns, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 32X8 OTPROM, 40ns, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP DIP DIP
包装说明 CERAMIC, DIP-16 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
针数 16 16 16
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 50 ns 50 ns 40 ns
JESD-30 代码 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16 R-GDIP-T16
长度 19.56 mm 19.56 mm 19.56 mm
内存密度 256 bit 256 bit 256 bit
内存集成电路类型 OTP ROM OTP ROM OTP ROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 16 16 16
字数 32 words 32 words 32 words
字数代码 32 32 32
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -
组织 32X8 32X8 32X8
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大压摆率 0.11 mA 0.11 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.25 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.75 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
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