G100N04,G100N04 pdf中文资料,G100N04引脚图,G100N04电路-Datasheet-电子工程世界

G100N04: 产品描述漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,100A,5.2mΩ@10V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小1MB，共5页; 制造商谷峰(GOFORD); 官网地址http://www.goford.cn/; 深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR，于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核，提供高可靠性的产品；不断的技术研发创新，满足细分市场的需求和产品的性价比；全球布局的视野，不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌！

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G100N04概述

漏源电压（Vdss）：40V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：90W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,100A,5.2mΩ@10V

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