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TC59RM816MB-8

产品描述IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 45 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小4MB,共76页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC59RM816MB-8概述

IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 45 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM

TC59RM816MB-8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA92,10X18,32
针数92
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间45 ns
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B92
JESD-609代码e0
长度17.349 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量92
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA92,10X18,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9.057 mm

TC59RM816MB-8相似产品对比

TC59RM816MB-8 TC59RM816MB-7
描述 IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 45 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 50 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA92,10X18,32 TFBGA, BGA92,10X18,32
针数 92 92
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间 45 ns 50 ns
其他特性 SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 800 MHz 711 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B92 R-PBGA-B92
JESD-609代码 e0 e0
长度 17.349 mm 17.349 mm
内存密度 268435456 bit 268435456 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM RAMBUS DRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 92 92
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 16MX16 16MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA92,10X18,32 BGA92,10X18,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 9.057 mm 9.057 mm

 
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