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TC59RM816MB-7: 产品描述IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 50 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM; 产品类别存储存储; 文件大小4MB，共76页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TC59RM816MB-7概述

IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 50 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM

TC59RM816MB-7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA92,10X18,32
针数	92
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	50 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	711 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B92
JESD-609代码	e0
长度	17.349 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	92
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA92,10X18,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	9.057 mm

TC59RM816MB-7相似产品对比

	TC59RM816MB-7	TC59RM816MB-8
描述	IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 50 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM	IC 16M X 16 DIRECT RAMBUS DRAM, 45 ns, PBGA92, 10 X 18 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-92, Dynamic RAM
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
零件包装代码	BGA	BGA
包装说明	TFBGA, BGA92,10X18,32	TFBGA, BGA92,10X18,32
针数	92	92
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	50 ns	45 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	711 MHz	800 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B92	R-PBGA-B92
JESD-609代码	e0	e0
长度	17.349 mm	17.349 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM	RAMBUS DRAM
内存宽度	16	16
功能数量	1	1
端口数量	1	1
端子数量	92	92
字数	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	16MX16	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA
封装等效代码	BGA92,10X18,32	BGA92,10X18,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
宽度	9.057 mm	9.057 mm

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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