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SFE1M

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小69KB,共2页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SFE1M概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC, MELF-2

SFE1M规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-213AB
包装说明O-PELF-R2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AB
JESD-30 代码O-PELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END

SFE1M文档预览

SFE 1A … SFE 1M
Superfast Switching
Surface Mount Si-Rectifiers
Superschnelle Si-Gleichrichter
für die Oberflächenmontage
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
0.5
2.5
1A
50…1000 V
DO-213AB
0.12 g
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Type
Typ
SFE 1A
SFE 1B
SFE 1D
SFE 1G
SFE 1J
SFE 1K
SFE 1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
T
T
= 100
L
C
f > 15 Hz
T
A
= 25
L
C
T
A
= 25
L
C
5.0
Type
Typ
0.5
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
I
FAV
1A
I
FRM
10 A
1
)
I
FSM
i
2
t
30 A
4,5 A
2
s
1
) Max. temperature of the terminals T
T
= 100
L
C – Max. Temperatur der Anschlüsse T
T
= 100
L
C
212
141101
© by SEMIKRON
SFE 1A … SFE 1M
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50...+175
L
C
– 50...+175
L
C
Characteristics
Type
Typ
SFE 1A ... SFE 1G
SFE 1J ... SFE 1M
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
t
rr
[ns]
1
)
< 50
< 75
T
j
= 25
L
C
Kennwerte
Forward voltage
Durchlaßspannung
V
F
[V] at / bei I
F
[A]
< 1.0
< 1.7
1
1
< 5
W
A
< 45 K/W
2
)
Leakage current – Sperrstrom
V
R
= V
RRM
I
R
R
thA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Kontaktfläche
R
thT
< 10 K/W
1
2
) I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
© by SEMIKRON
141101
213

SFE1M相似产品对比

SFE1M SFE1G SFE1J
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC, MELF-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC, MELF-2 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC, MELF-2
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON
零件包装代码 DO-213AB DO-213AB DO-213AB
包装说明 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-213AB DO-213AB DO-213AB
JESD-30 代码 O-PELF-R2 O-PELF-R2 O-PELF-R2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -50 °C -50 °C -50 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 400 V 600 V
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.05 µs 0.075 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END END
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