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TK16V60W

产品描述Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小251KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TK16V60W概述

Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V

TK16V60W规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, S-PSSO-N4
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级(Eas)179 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15.8 A
最大漏极电流 (ID)15.8 A
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-PSSO-N4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)63.2 A
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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