Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MUR160-B

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MUR160-B: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小78KB，共3页; 制造商Diodes Incorporated; 标准

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MUR160-B概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

MUR160-B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Diodes Incorporated
零件包装代码	DO-41
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.05 V
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	35 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	0.075 µs
表面贴装	NO
端子面层	Bright Tin (Sn)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40

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MUR140 - MUR160

1.0A SUPER-FAST RECTIFIER

Features

Glass Passivated Die Construction

Super-Fast Recovery Time For High Efficiency

Low Forward Voltage Drop and High Current Capability

Surge Overload Rating to 35A Peak

Ideally Suited for Automated Assembly

Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 5)

Mechanical Data

Case: DO-41

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C

Terminals: Finish

Bright Tin. Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Marking: MUR140: R140

MUR160: R160

Polarity: Cathode Band

Mounting Position: Any

Weight: 0.35 grams (approximate)

Dim

DO-41 Plastic

Min

25.40

4.06

0.71

2.00

Max

5.21

0.864

2.72

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Rectified Output Current

@ T

= 120°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC Method)

Forward Voltage

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

Reverse Recovery Time (Note 2)

Reverse Recovery Time (Note 3)

Forward Recovery Time (Note 4)

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

Notes:

@ T

= 25°C unless otherwise specified

Symbol

RRM

RWM

R(RMS)

FSM

qJA

, T

STG

MUR140

400

283

1.0

1.25

1.05

5.0

150

-65 to +175

MUR160

600

424

Unit

K/W

°C

@ I

= 1.0A, T

= 25°C

@ I

= 1.0A, T

= 150°C

@ T

= 25°C

@ T

= 150°C

Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 0V DC.

Measured with I

= 0.5A, I

= 1.0A, I

= 0.25A. See Figure 5.

Measured with I

= 1A, di/dt = 50A/us.

Measured with I

= 1.0A, di/dt = 100A/ms, Duty Cycle

2.0%.

RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see

EU Directive Annex Notes 5 and 7.

DS30112 Rev. 6 - 2

1 of 3

www.diodes.com

MUR140 - MUR160

Diodes Incorporated

, AVERAGE FORWARD CURRENT (A)

, INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)

10.0

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.5

= 25 C

175 C

100 C

0.1

0.05

100

125

150

175

, TERMINAL TEMPERATURE (

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

0.01

0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3

, INSTANTANEOUS VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Current

FSM

, PEAK FORWARD SURGE CURRENT (A)

Single Half-Sine-Wave

(JEDEC Method)

8.0

4.0

2.0

0.8

= 100 C

= 175 C

0.4

0.2

0.08

0.04

0.02

0.008

NUMBER OF CYCLES AT 60Hz

Fig. 3 Surge Current Derating Curve

100

= 25 C

0.004

0.002

100 150 200 250 300 350 400 450 500

, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Reverse Current

+0.5A

Device

Under

Test

(-)

Pulse

Generator

(Note 2)

(+)

50V DC

Approx

-0.25A

(-)

Oscilloscope

(Note 1)

(+)

-1.0A

Set time base for 50/100 ns/cm

Fig. 5 Reverse Recovery Time Characteristic and Test Circuit

DS30112 Rev. 6 - 2

2 of 3

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MUR140 - MUR160

Ordering Information

Device

MUR140-A

MUR140-B

MUR140-T

MUR160-A

MUR160-B

MUR160-T

Notes:

(Note 6)

Packaging

DO-41

Shipping

5K/Ammo Pack

1K/Bulk

5K/Tape & Reel, 13-inch

5K/Ammo Pack

1K/Bulk

5K/Tape & Reel, 13-inch

6. For packaging details, visit our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02008.pdf

DS30112 Rev. 6 - 2

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MUR140 - MUR160

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	MUR160-B	MUR140-A	MUR140-B	MUR160-A
描述	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
零件包装代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数	2	2	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.05 V	1.05 V	1.05 V	1.05 V
JEDEC-95代码	DO-41	DO-41	DO-41	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1
最大非重复峰值正向电流	35 A	35 A	35 A	35 A
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	1 A	1 A	1 A	1 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	400 V	400 V	600 V
最大反向恢复时间	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs	0.075 µs
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	Bright Tin (Sn)	Bright Tin (Sn)	Bright Tin (Sn)	Bright Tin (Sn)
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40

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