Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | DO-200AB |
包装说明 | O-CEDB-N2 |
针数 | 2 |
制造商包装代码 | B-PUK |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH SURGE CAPABILITY |
应用 | GENERAL PURPOSE |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.31 V |
JEDEC-95代码 | DO-200AB |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大非重复峰值正向电流 | 13600 A |
元件数量 | 1 |
相数 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 180 °C |
最大输出电流 | 1170 A |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1600 V |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | END |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
SD1100C16L | Q25.999-JXS11-30-30/30-LF | SD1100C12L | 8EWF04S | SD600N08PC | |
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描述 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600A, 800V V(RRM), Silicon |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | O-CEDB-N2 | SMD, 4 PIN | O-CEDB-N2 | R-PSSO-G2 | O-MUPM-H1 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
JESD-609代码 | e0 | e4 | e0 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 180 °C | 70 °C | 180 °C | 150 °C | 180 °C |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES | NO |
端子面层 | TIN LEAD | GOLD OVER NICKEL | TIN LEAD | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | - | - | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | DO-200AB | - | DO-200AB | TO-252AA | - |
针数 | 2 | - | 2 | 4 | - |
其他特性 | HIGH SURGE CAPABILITY | AT CUT | HIGH SURGE CAPABILITY | - | HIGH SURGE CAPABILITY |
应用 | GENERAL PURPOSE | - | GENERAL PURPOSE | FAST SOFT RECOVERY | HIGH VOLTAGE HIGH POWER |
配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | - | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.31 V | - | 1.31 V | 1.2 V | 1.31 V |
JEDEC-95代码 | DO-200AB | - | DO-200AB | TO-252AA | - |
JESD-30 代码 | O-CEDB-N2 | - | O-CEDB-N2 | R-PSSO-G2 | O-MUPM-H1 |
最大非重复峰值正向电流 | 13600 A | - | 13600 A | 200 A | 13600 A |
元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
相数 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | - | 2 | 2 | 1 |
最大输出电流 | 1170 A | - | 1170 A | 8 A | 600 A |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | METAL |
封装形状 | ROUND | - | ROUND | RECTANGULAR | ROUND |
封装形式 | DISK BUTTON | - | DISK BUTTON | SMALL OUTLINE | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | 245 | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 1600 V | - | 1200 V | 400 V | 800 V |
端子形式 | NO LEAD | - | NO LEAD | GULL WING | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置 | END | - | END | SINGLE | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | 30 | NOT SPECIFIED |
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