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SD1100C12L

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共1页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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SD1100C12L概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2

SD1100C12L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-200AB
包装说明O-CEDB-N2
针数2
制造商包装代码B-PUK
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.31 V
JEDEC-95代码DO-200AB
JESD-30 代码O-CEDB-N2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流13600 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度180 °C
最大输出电流1170 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压1200 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SD1100C12L相似产品对比

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描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2 Parallel - Fundamental Quartz Crystal, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1170A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, CERAMIC, BPUK-2 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600A, 800V V(RRM), Silicon
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 O-CEDB-N2 SMD, 4 PIN R-PSSO-G2 O-CEDB-N2 O-MUPM-H1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
JESD-609代码 e0 e4 e0 e0 e0
最高工作温度 180 °C 70 °C 150 °C 180 °C 180 °C
表面贴装 YES YES YES YES NO
端子面层 TIN LEAD GOLD OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD TIN LEAD
零件包装代码 DO-200AB - TO-252AA DO-200AB -
针数 2 - 4 2 -
其他特性 HIGH SURGE CAPABILITY AT CUT - HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY
应用 GENERAL PURPOSE - FAST SOFT RECOVERY GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE HIGH POWER
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.31 V - 1.2 V 1.31 V 1.31 V
JEDEC-95代码 DO-200AB - TO-252AA DO-200AB -
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 - R-PSSO-G2 O-CEDB-N2 O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流 13600 A - 200 A 13600 A 13600 A
元件数量 1 - 1 1 1
相数 1 - 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 1
最大输出电流 1170 A - 8 A 1170 A 600 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL
封装形状 ROUND - RECTANGULAR ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON - SMALL OUTLINE DISK BUTTON POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - 245 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1200 V - 400 V 1600 V 800 V
端子形式 NO LEAD - GULL WING NO LEAD HIGH CURRENT CABLE
端子位置 END - SINGLE END UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 - - International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
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