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MGFC1801-A02

产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小266KB,共6页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MGFC1801-A02概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13

MGFC1801-A02规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, R-XUUC-N13
针数13
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压6 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
FET 技术JUNCTION
最高频带X BAND
JESD-30 代码R-XUUC-N13
元件数量1
端子数量13
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

MGFC1801-A02相似产品对比

MGFC1801-A02 MGFC1801-A03 MGFC1801-A01
描述 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13 RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 DIE DIE DIE
包装说明 UNCASED CHIP, R-XUUC-N13 UNCASED CHIP, R-XUUC-N13 UNCASED CHIP, R-XUUC-N13
针数 13 13 13
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 6 V 6 V 6 V
最大漏极电流 (ID) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最高频带 X BAND X BAND X BAND
JESD-30 代码 R-XUUC-N13 R-XUUC-N13 R-XUUC-N13
元件数量 1 1 1
端子数量 13 13 13
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE

 
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