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MGFC1801-A03: 产品描述RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小266KB，共6页; 制造商Mitsubishi(日本三菱); 官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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MGFC1801-A03概述

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13

MGFC1801-A03规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	DIE
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N13
针数	13
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	6 V
最大漏极电流 (ID)	0.1 A
FET 技术	JUNCTION
最高频带	X BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N13
元件数量	1
端子数量	13
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

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	MGFC1801-A03	MGFC1801-A02	MGFC1801-A01
描述	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, DIE-13
厂商名称	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)	Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码	DIE	DIE	DIE
包装说明	UNCASED CHIP, R-XUUC-N13	UNCASED CHIP, R-XUUC-N13	UNCASED CHIP, R-XUUC-N13
针数	13	13	13
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	6 V	6 V	6 V
最大漏极电流 (ID)	0.1 A	0.1 A	0.1 A
FET 技术	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION
最高频带	X BAND	X BAND	X BAND
JESD-30 代码	R-XUUC-N13	R-XUUC-N13	R-XUUC-N13
元件数量	1	1	1
端子数量	13	13	13
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE	GALLIUM ARSENIDE

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