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IS61LP12836-200TQ: 产品描述Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小90KB，共16页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61LP12836-200TQ概述

Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IS61LP12836-200TQ规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	QFP
包装说明	TQFP-100
针数	100
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	20 mm
内存密度	4718592 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	100
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IS61LP12836-200TQ相似产品对比

	IS61LP12836-200TQ	IS61LP12836-200TQI	IS61LP12836-200B	IS61LP12836-200BI
描述	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	BGA	BGA
包装说明	TQFP-100	TQFP-100	PLASTIC, BGA-119	PLASTIC, BGA-119
针数	100	100	119	119
Reach Compliance Code	compli	compli	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.1 ns	3.1 ns	3.1 ns	3.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	200 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20 mm	20 mm	22 mm	22 mm
内存密度	4718592 bi	4718592 bi	4718592 bit	4718592 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1
端子数量	100	100	119	119
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C
组织	128KX36	128KX36	128KX36	128KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	BGA	BGA
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	2.41 mm	2.41 mm
最大待机电流	0.015 A	0.02 A	0.015 A	0.02 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.3 mA	0.31 mA	0.3 mA	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

IS61LP12836-200TQ

IS61LP12836-200TQ概述

IS61LP12836-200TQ规格参数

IS61LP12836-200TQ相似产品对比

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