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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BYT41M
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BYT41M

产品描述1.25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小87KB，共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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BYT41M概述

1.25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BYT41A-BYT41M
1.0A Axial Leaded Super Fast Rectifier
Features
·
Controlled avalanche characteristics
·
Miniature axial leaded
·
Glass passivated
·
Hermetically sealed glass envelope
·
Low reverse current
·
High reverse voltage
D
A
B
A
C
Mechanical Data
·
Case: Molded Plastic
Dim
A
B
C
D
DO-41
Min
25.40
4.06
0.71
2.00
Max
¾
5.21
0.864
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Parameter
Reverse voltage
g
=Repetitive peak reverse voltage
Test Conditions
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Type
BYT41A
BYT41B
BYT41D
BYT41G
BYT41J
BYT41K
BYT41M
Symbol
V
R
=V
RRM
Peak forward surge current
Average forward current
Non repetitive reverse
avalanche energy
Junction and storage
temperature range
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Reverse breakdown
voltage
t
p
=8.3 ms, half sinewave
Lead length l = 10 mm,
T
L
= 25
°
C
I
(BR)R
=1A, inductive load
I
FSM
I
FAV
E
R
T
j
=T
stg
Value
50
100
200
400
600
800
1000
30
1.25
10
–55...+175
Typ
Max
1.1
5
150
Unit
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mJ
°
C
Unit
V
m
A
m
A
V
V
V
V
V
V
V
m
s
Test Conditions
I
F
= 1 A
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=150
°
C
I
R
=100
m
A
Type
BYT41A
BYT41B
BYT41D
BYT41G
BYT41J
BYT41K
BYT41M
Reverse recovery time
I
F
=0.5A, I
R
=1A, i
R
=0.25A
1 of 2
Symbol
V
F
I
R
I
R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
t
rr
Min
50
100
200
400
600
800
1000
2

BYT41M相似产品对比

BYT41M BYT41K BYT41A BYT41B BYT41D BYT41G BYT41J
描述 1.25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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