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BYT41K

产品描述1.25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小87KB,共2页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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BYT41K概述

1.25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BYT41A-BYT41M
1.0A Axial Leaded Super Fast Rectifier
Features
·
Controlled avalanche characteristics
·
Miniature axial leaded
·
Glass passivated
·
Hermetically sealed glass envelope
·
Low reverse current
·
High reverse voltage
D
A
B
A
C
Mechanical Data
·
Case: Molded Plastic
Dim
A
B
C
D
DO-41
Min
25.40
4.06
0.71
2.00
Max
¾
5.21
0.864
2.72
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Parameter
Reverse voltage
g
=Repetitive peak reverse voltage
Test Conditions
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Type
BYT41A
BYT41B
BYT41D
BYT41G
BYT41J
BYT41K
BYT41M
Symbol
V
R
=V
RRM
Peak forward surge current
Average forward current
Non repetitive reverse
avalanche energy
Junction and storage
temperature range
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Reverse breakdown
voltage
t
p
=8.3 ms, half sinewave
Lead length l = 10 mm,
T
L
= 25
°
C
I
(BR)R
=1A, inductive load
I
FSM
I
FAV
E
R
T
j
=T
stg
Value
50
100
200
400
600
800
1000
30
1.25
10
–55...+175
Typ
Max
1.1
5
150
Unit
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mJ
°
C
Unit
V
m
A
m
A
V
V
V
V
V
V
V
m
s
Test Conditions
I
F
= 1 A
V
R
=V
RRM
V
R
=V
RRM
, T
j
=150
°
C
I
R
=100
m
A
Type
BYT41A
BYT41B
BYT41D
BYT41G
BYT41J
BYT41K
BYT41M
Reverse recovery time
I
F
=0.5A, I
R
=1A, i
R
=0.25A
1 of 2
Symbol
V
F
I
R
I
R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
V
(BR)R
t
rr
Min
50
100
200
400
600
800
1000
2

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