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1N6282A

产品描述1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小85KB,共4页
制造商SUNMATE
官网地址http://www.sunmate.tw/
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1N6282A概述

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201

1500 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-201

1N6282A规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
最小击穿电压30 V
状态ACTIVE
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
工艺AVALANCHE
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限5 W
极性UNIDIRECTIONAL
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大非重复峰值转速功率1500 W

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1N6267 - 1N6303A
1500 Watts Axial Leaded Transient Voltage Suppressor
Features
·
1500W surge capability at 1ms
·
Excellent clamping capability
·
Low zener impedance
·
Fast response time : typically less
then 1.0 ps from 0 volt to V
BR(min.)
·
Typical I
R
less then 1
µ
A above 10V
A
B
A
D
DO-201AD
Dim
A
B
C
D
Min
25.40
7.20
1.20
4.80
Max
¾
9.50
1.30
5.30
C
Mechanical Data
·
Case : DO-201AD Molded plastic
·
Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
·
Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
method 208 guaranteed
·
Polarity : Color band denotes cathode end except Bipolar.
·
Mounting position : Any
·
Weight : 1.21 grams
All Dimensions in mm
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating
Peak Power Dissipation at Ta = 25
°
C, Tp=1ms
(Note1)
Steady State Power Dissipation at T
L
= 75
°
C
Lead Lengths 0.375", (9.5mm)
(Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rated Load
(JEDEC Method)
(Note 3)
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
P
PK
Value
1500
Unit
Watts
P
D
5.0
Watts
I
FSM
T
J,
T
STG
200
- 65 to + 175
Amps.
°
C
Operating and Storage Temperature Range
Note :
(1) Non-repetitive Current pulse, per Fig. 5 and derated above Ta = 25
°
C per Fig. 1
2
2
(2) Mounted on Copper Lead area of 1.57 in (40mm ).
(3) 8.3 ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
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