电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4002S

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小66KB,共2页
制造商CTC [Compact Technology Corp.]
下载文档 选型对比 全文预览

1N4002S概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

文档预览

下载PDF文档
1N4001S thru 1N4007S
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Ampere
PLASTIC SILICON RECTIFIERS
FEATURES
Low cost
Diffused junction
Low forward voltage drop
Low reverse leakage current
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
A
A-405
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
Dim.
A
B
Min.
25.4
4.20
0.50
2.00
A-405
Max.
-
5.20
0.60
C
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
1N4001S 1N4002S 1N4003S 1N4004S 1N4005S 1N4006S 1N4007S
UNIT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
@T
A
=
75 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load (JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction
Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
I
FSM
V
F
I
R
C
J
R
0JA
30
1.1
5
50
15
35
-55 to +150
-55 to +150
A
V
uA
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
pF
C/W
T
J
T
STG
C
C
NOTES : 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2.Thermal Resistance Junction to Ambient.
3.Thermal Resistance Junction to Case at 9.5mm Lead Length.PCB Mounted JEDEC Registered Value.
1
of 2
1N4001S thru 1N4007S

1N4002S相似产品对比

1N4002S 1N4003S 1N4005S 1N4006S 1N4007S 1N4001S 1N4004S
描述 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
Ti放弃m3了
真的有点恐怖 一直没怎么用过arm的东西 今天想起来打算看看m3。 结果刚理解了arm最新第七代架构和a m系列的关系,突然看到一个消息吓了我一跳 ti全线停产m3了。 我靠……真的当时打完球在公 ......
辛昕 微控制器 MCU
求助:花了几千大元参加了SMT工程师认证课程和考试不知道值不值?
刚刚加入SMT行业没多久,朋友一直要我和他一起报名了深圳NEPCON展会的SMT工程师认证课程,而且还要花上几千大元的费用,可是不知道这个证书对我以后的职业规划有没有帮助!请各位前辈给指引一下 ......
我就出来 工作这点儿事
提高开关电源功率因数的设计
提高开关电源功率因数的设计...
tonytong 电源技术
应用MOTOROLA 68HC908GP32设计的IC卡计费器
本文介绍了MOTOROLA 68HC908GP32单片机结构和资源特征,并用它进行一个IC卡计费器的设计。...
rain 模拟电子
DDR2布线规则
叠层设置:1、 对于同一组数据线及其对应的DQ STROBE线,如DQ、DM0与DQS0、DQS0#,应布在同一层,以减小信号skew。2、 DDR2信号线的参考平面最好是选择地平面(尤其是时钟线),如果基于成本考 ......
littlebadbay PCB设计
年终奖大晒,有的是惊喜,有的是惊吓 (转)
年关近在眼前,这几天人们最关心的事情莫过于年终奖了,见面第一句话,发年终奖了吗?各公司年终奖各不相同,有皆大欢喜的,也有不给伤心的,是惊喜还是惊吓呢,来看看吧! http://bbs.hc360 ......
kemasz 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 428  108  1539  2154  190  55  35  23  15  43 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved