电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT16LSD464AG-66CL2

产品描述Synchronous DRAM, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小583KB,共16页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT16LSD464AG-66CL2概述

Synchronous DRAM, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168

MT16LSD464AG-66CL2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM-168
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间9 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度29.21 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.032 A
最大压摆率0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MT16LSD464AG-66CL2相似产品对比

MT16LSD464AG-66CL2 MT16LSDT464AG-66CL3 MT8LSD264AG-66CL2 MT8LSDT264AG-66CL2 MT16LSDT464AG-66CL2 MT8LSDT264AG-66CL3 MT16LSD464AG-66CL3 MT8LSD264AG-66CL3
描述 Synchronous DRAM, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 2MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 2MX64, 7.5ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7.5ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 2MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM-168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM-168 DIMM-168 DIMM-168 DIMM-168 DIMM-168
针数 168 168 168 168 168 168 168 168
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 9 ns 9 ns 9 ns 7.5 ns 7.5 ns 9 ns 9 ns 9 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 83 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 83 MHz 83 MHz 83 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 134217728 bit 134217728 bit 268435456 bit 134217728 bit 268435456 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 64 64 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168 168 168
字数 4194304 words 4194304 words 2097152 words 2097152 words 4194304 words 2097152 words 4194304 words 2097152 words
字数代码 4000000 4000000 2000000 2000000 4000000 2000000 4000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX64 4MX64 2MX64 2MX64 4MX64 2MX64 4MX64 2MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.032 A 0.032 A 0.016 A 0.016 A 0.032 A 0.016 A 0.032 A 0.016 A
最大压摆率 0.96 mA 0.88 mA 0.72 mA 0.72 mA 0.96 mA 0.64 mA 0.88 mA 0.64 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
湿度敏感等级 1 - 1 1 - 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) 225 - 225 225 - 225 225 225
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

推荐资源

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 235  1136  1408  1523  1575 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved