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UPD44647096F5-E27-FQ1

产品描述QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165
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文件大小480KB,共36页
制造商NEC(日电)
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UPD44647096F5-E27-FQ1概述

QDR SRAM, 8MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165

UPD44647096F5-E27-FQ1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e0
长度17 mm
内存密度75497472 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度9
功能数量1
端子数量165
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.51 mm
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm
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