Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-52,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micro Power Systems |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | MATCHED PAIR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量 | 2 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 45 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 150 |
| JEDEC-95代码 | TO-52 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.5 V |
| MP351 | MP352A | |
|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-52, | Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, TO-52, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micro Power Systems | Micro Power Systems |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | MATCHED PAIR | MATCHED PAIR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.02 A | 0.02 A |
| 基于收集器的最大容量 | 2 pF | 2 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 45 V | 45 V |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 150 | 200 |
| JEDEC-95代码 | TO-52 | TO-52 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W6 | O-MBCY-W6 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 6 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | PNP | PNP |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 100 MHz | 100 MHz |
| VCEsat-Max | 0.5 V | 0.5 V |
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