CBR35F-010P_15,CBR35F-010P_15 pdf中文资料,CBR35F-010P_15引脚图,CBR35F-010P

Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> CBR35F-010P_15

CBR35F-010P_15: 产品描述35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小462KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CBR35F-010P_15概述

35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

CBR35F-010P_15相似产品对比

	CBR35F-010P_15	CBR35F-040P	CBR35F-060P	CBR35F-020P
描述	35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE	35 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否无铅	-	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合
厂商名称	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	-	PLASTIC PACKAGE-4	PLASTIC PACKAGE-4	PLASTIC PACKAGE-4
针数	-	4	4	4
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow	unknow
最小击穿电压	-	400 V	600 V	200 V
外壳连接	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	-	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	-	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	-	1.3 V	1.3 V	1.3 V
JESD-30 代码	-	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4	S-PUFM-D4
JESD-609代码	-	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	-	400 A	400 A	400 A
元件数量	-	4	4	4
相数	-	1	1	1
端子数量	-	4	4	4
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	-	35 A	35 A	35 A
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	-	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	-	400 V	600 V	200 V
最大反向恢复时间	-	0.2 µs	0.3 µs	0.2 µs
表面贴装	-	NO	NO	NO
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	-	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	-	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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