1N4248: 产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小402KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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1N4248概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N4248规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	E-XALF-W2
针数	2
制造商包装代码	GPR-1A
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V
JESD-30 代码	E-XALF-W2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	25 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	160 °C
最大输出电流	1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V
最大反向恢复时间	5 µs
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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1N4245

1N4246

1N4247

1N4248

1N4249

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

GLASS PASSIVATED

SILICON RECTIFIERS

1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4245 series

types are silicon rectifiers mounted in a hermetically

sealed, glass passivated package for general purpose

applications where high reliability is desired.

MARKING: FULL PART NUMBER

GPR-1A CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 1N4245 1N4246 1N4247 1N4248 1N4249 UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

200

400

600

800

1000

DC Blocking Voltage

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=55°C)

Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms

Operating and Storage Junction Temperature

ELECTRICAL

SYMBOL

trr

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

200

140

400

280

600

420

1.0

-65 to +200

800

560

1000

700

°C

CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

TYP

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=125°C

IF=1.0A

IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A

2.0

MAX

1.0

1.2

5.0

UNITS

μA

μs

R1 (28-February 2013)

1N4248相似产品对比

	1N4248	1N4245	PMEG045V100EPD_15	1N4247	1N4249
描述	1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP	45 V, 10 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier	1 A, SILICON, SIGNAL DIODE	1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AP
是否无铅	含铅	含铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合
包装说明	E-XALF-W2	GPR-1A, 2 PIN	-	E-XALF-W2	GPR-1A, 2 PIN
针数	2	2	-	2	2
制造商包装代码	GPR-1A	GPR-1A	-	GPR-1A	GPR-1A
Reach Compliance Code	_compli	_compli	-	not_compliant	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	-	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.2 V	1.2 V	-	1.2 V	1.2 V
JESD-30 代码	E-XALF-W2	E-XALF-W2	-	E-XALF-W2	E-XALF-W2
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	25 A	25 A	-	25 A	25 A
元件数量	1	1	-	1	1
端子数量	2	2	-	2	2
最高工作温度	160 °C	160 °C	-	160 °C	160 °C
最大输出电流	1 A	1 A	-	1 A	1 A
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL	-	ELLIPTICAL	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	800 V	200 V	-	600 V	1000 V
最大反向恢复时间	5 µs	5 µs	-	5 µs	5 µs
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE	WIRE	-	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	-	AXIAL	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1	-	-	1	1

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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