Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 端子数量 | 90 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.25 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| EDS1232CABB-75L | EDS1232CABB-10L | EDS1232CABB-10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, | Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, | Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 最长访问时间 | 5.4 ns | 6 ns | 6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 | R-PBGA-B90 | R-PBGA-B90 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 134217728 bit | 134217728 bit | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
| 端子数量 | 90 | 90 | 90 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX32 | 4MX32 | 4MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA | FBGA | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA90,9X15,32 | BGA90,9X15,32 | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 | 4096 |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A |
| 最大压摆率 | 0.25 mA | 0.25 mA | 0.25 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
