EDS1232CABB-10L,EDS1232CABB-10L pdf中文资料,EDS1232CABB-10L引脚图,EDS1232CABB-10L电路-Datasheet-电子工程世界

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EDS1232CABB-10L: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90,; 产品类别存储存储; 文件大小571KB，共55页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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EDS1232CABB-10L概述

Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90,

EDS1232CABB-10L规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
端子数量	90
字数	4194304 words
字数代码	4000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM

EDS1232CABB-10L相似产品对比

	EDS1232CABB-10L	EDS1232CABB-75L	EDS1232CABB-10
描述	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90,	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90,	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	6 ns	5.4 ns	6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	100 MHz	133 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32
端子数量	90	90	90
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX32	4MX32	4MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.25 mA	0.25 mA	0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM

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