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MK48C02AN15

产品描述2KX8 STANDARD SRAM, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
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文件大小240KB,共9页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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MK48C02AN15概述

2KX8 STANDARD SRAM, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

MK48C02AN15规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
其他特性BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度37.085 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
混合内存类型N/A
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm

MK48C02AN15相似产品对比

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描述 2KX8 STANDARD SRAM, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 2KX8 STANDARD SRAM, 250ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 2KX8 STANDARD SRAM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 2KX8 STANDARD SRAM, 150ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 2KX8 STANDARD SRAM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 2KX8 STANDARD SRAM, 250ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 2KX8 STANDARD SRAM, 200ns, PDIP28, PLASTIC, DIP-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 DIP DIP QFJ QFJ DIP QFJ QFJ DIP
包装说明 PLASTIC, DIP-28 PLASTIC, DIP-28 PLASTIC, LCC-32 PLASTIC, LCC-32 PLASTIC, DIP-28 PLASTIC, LCC-32 PLASTIC, LCC-32 PLASTIC, DIP-28
针数 28 28 32 32 28 32 32 28
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 250 ns 150 ns 200 ns 150 ns 150 ns 250 ns 200 ns
其他特性 BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION BATTERY BACKUP; POWER SUPPLY WRITE PROTECTION
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 37.085 mm 37.085 mm 13.995 mm 13.995 mm 37.085 mm 13.995 mm 13.995 mm 37.085 mm
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
混合内存类型 N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A N/A
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 32 32 28 32 32 28
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP QCCJ QCCJ DIP QCCJ QCCJ DIP
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 LDCC32,.5X.6 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6 LDCC32,.5X.6 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 3.56 mm 3.56 mm 5.08 mm 3.56 mm 3.56 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.5 V 4.75 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO YES YES NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE J BEND J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD QUAD DUAL QUAD QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm 11.455 mm 11.455 mm 15.24 mm 11.455 mm 11.455 mm 15.24 mm

 
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