4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TO-262AA |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级（Eas） | 230 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 3.3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| STB4NB80-1 | STB4NB80T4 | STB4NB80FP-1 | STB4NB80FPT4 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3 | 4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 | 4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3 | 4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 |
| 零件包装代码 | TO-262AA | D2PAK | TO-262AA | D2PAK |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 3 | 4 | 3 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant | not_compliant | unknown | unknown |
| 雪崩能效等级（Eas） | 230 mJ | 230 mJ | 230 mJ | 230 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V | 800 V | 800 V | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 4 A | 4 A | 4 A | 4 A |
| 最大漏源导通电阻 | 3.3 Ω | 3.3 Ω | 3.3 Ω | 3.3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-263AB | TO-262AA | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 2 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16 A | 16 A | 16 A | 16 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | YES |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
Microchip MCU
嵌入式系统
DIY/开源硬件专区
嵌入式系统
单片机
DSP 与 ARM 处理器
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
