STB4NB80FP-1,STB4NB80FP-1 pdf中文资料,STB4NB80FP-1引脚图,STB4NB80FP-1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> STB4NB80FP-1

STB4NB80FP-1: 产品描述4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小53KB，共6页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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STB4NB80FP-1概述

4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3

STB4NB80FP-1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
雪崩能效等级（Eas）	230 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V
最大漏极电流 (ID)	4 A
最大漏源导通电阻	3.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	16 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

STB4NB80FP-1相似产品对比

	STB4NB80FP-1	STB4NB80T4	STB4NB80FPT4	STB4NB80-1
描述	4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3	4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3	4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3	4A, 800V, 3.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3
零件包装代码	TO-262AA	D2PAK	D2PAK	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	4	4	3
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	unknown	compliant
雪崩能效等级（Eas）	230 mJ	230 mJ	230 mJ	230 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V	800 V	800 V	800 V
最大漏极电流 (ID)	4 A	4 A	4 A	4 A
最大漏源导通电阻	3.3 Ω	3.3 Ω	3.3 Ω	3.3 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-263AB	TO-263AB	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	16 A	16 A	16 A	16 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	ST(意法半导体)	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)

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