MT288064-20概述

EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, MOS, PDIP28

MT288064-20规格参数

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

	MT288064-20	MT288064-25
描述	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, MOS, PDIP28	EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, MOS, PDIP28
是否Rohs认证	不符合	不符合
Reach Compliance Code	_compli	_compli
最长访问时间	200 ns	250 ns
命令用户界面	NO	NO
数据轮询	YES	YES
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0
内存密度	65536 bi	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8
端子数量	28	28
字数	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000
最高工作温度	70 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP
封装等效代码	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO
技术	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL
切换位	NO	NO
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms
Base Number Matches	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ