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HN1B04FEY: 产品描述TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2N1G, ES6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小341KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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HN1B04FEY概述

TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2N1G, ES6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

HN1B04FEY规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数	6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-F6
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	80 MHz

HN1B04FEY相似产品对比

	HN1B04FEY	HN1B04FE-GR,LF(T	HN1B04FE-Y,LF	HN1B04FE-GR,LF	HN1B04FE-GR	HN1B04FE-Y	HN1B04FE-Y(T5LUPTF
描述	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2N1G, ES6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	tran pnp/npn -50v -0.15a es6	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6	额定功率：100mW 集电极电流Ic：150mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN,PNP NPN/PNP，Vceo=±50V,Ic=±0.15A	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2N1G, ES6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 150 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2N1G, ES6, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
厂商名称	Toshiba(东芝)	-	-	-	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	-	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code	unknown	-	unknown	-	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.15 A	-	0.15 A	-	0.15 A	0.15 A	0.15 A
集电极-发射极最大电压	50 V	-	50 V	-	50 V	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)	120	-	120	-	200	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-F6	-	R-PDSO-F6	-	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6	R-PDSO-F6
元件数量	2	-	2	-	2	2	2
端子数量	6	-	6	-	6	6	6
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	-	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN AND PNP	-	NPN AND PNP	-	NPN AND PNP	NPN AND PNP	NPN AND PNP
表面贴装	YES	-	YES	-	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	-	FLAT	-	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	-	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	80 MHz	-	80 MHz	-	80 MHz	80 MHz	80 MHz

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