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HM66WP18100FP-40

产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100
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文件大小247KB,共30页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM66WP18100FP-40概述

ZBT SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100

HM66WP18100FP-40规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2.6 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
宽度14 mm

HM66WP18100FP-40相似产品对比

HM66WP18100FP-40 HM66WP18100BP-60 HM66WP36512FP-40 HM66WP18100BP-40 HM66WP36512FP-60 HM66WP36512BP-60 HM66WP18100FP-60
描述 ZBT SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 ZBT SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100 ZBT SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100 ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100
零件包装代码 QFP BGA QFP BGA QFP BGA QFP
包装说明 LQFP, BGA, LQFP, BGA, LQFP, BGA, LQFP,
针数 100 119 100 119 100 119 100
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 2.6 ns 3.5 ns 2.6 ns 2.6 ns 3.5 ns 3.5 ns 3.5 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100
长度 20 mm 22 mm 20 mm 22 mm 20 mm 22 mm 20 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 18 18 36 18 36 36 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 119 100 119 100 119 100
字数 1048576 words 1048576 words 524288 words 1048576 words 524288 words 524288 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 512000 1000000 512000 512000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX18 1MX18 512KX36 1MX18 512KX36 512KX36 1MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP BGA LQFP BGA LQFP BGA LQFP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 2.35 mm 1.6 mm 2.35 mm 1.6 mm 2.35 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V 2.625 V
最小供电电压 (Vsup) 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V 2.375 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING BALL GULL WING BALL GULL WING BALL GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm
端子位置 QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )

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