HM66WP18100BP-60,HM66WP18100BP-60 pdf中文资料,HM66WP18100BP-60引脚图,HM66WP18100BP-60电路-Datasheet-电子工程世界

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HM66WP18100BP-60: 产品描述ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小247KB，共30页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM66WP18100BP-60概述

ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

HM66WP18100BP-60规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	119
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
Is Samacsys	N
最长访问时间	3.5 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.35 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

HM66WP18100BP-60相似产品对比

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描述	ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100	ZBT SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100	ZBT SRAM, 512KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119	ZBT SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100	ZBT SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LQFP-100
零件包装代码	BGA	QFP	BGA	QFP	BGA	QFP	QFP
包装说明	BGA,	LQFP,	BGA,	LQFP,	BGA,	LQFP,	LQFP,
针数	119	100	119	100	119	100	100
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.5 ns	2.6 ns	2.6 ns	3.5 ns	3.5 ns	3.5 ns	2.6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY	PIPELINED ARCHITECTURE; CAN ALSO OPERATE AT 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	22 mm	20 mm	20 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM	ZBT SRAM
内存宽度	18	36	18	36	36	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	100	119	100	119	100	100
字数	1048576 words	524288 words	1048576 words	524288 words	524288 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	512000	1000000	512000	512000	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	512KX36	1MX18	512KX36	512KX36	1MX18	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	LQFP	BGA	LQFP	BGA	LQFP	LQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.35 mm	1.6 mm	2.35 mm	1.6 mm	2.35 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	QUAD	QUAD
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

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