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HYS64V8000GD-10

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
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文件大小219KB,共19页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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HYS64V8000GD-10概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144

HYS64V8000GD-10规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
零件包装代码MODULE
包装说明,
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间8 ns
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量2
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

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3.3V SDRAM Modules
144 pin SO-DIMM SDRAM Modules
16MB, 32MB, 64MB & 128 MB density
HYS64Vx00(2)0G(C)D-10
144 Pin JEDEC Standard, 8 Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules
for PC notebook applications
One bank 2M x 64, 4M x 64, 8M x 64 and 16M x 64 non-parity module organisation
Two bank 16M x 64 organisation
Performance:
-10
PC66
f
CK
t
AC
Clock frequency (max.)
Clock access time
CAS latency = 2 & 3
66
8
Units
MHz
ns
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence
(Sequential & Interleave)
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs are LVTTL compatible
Serial Presence Detect with E
2
PROM
4096 refresh cycles every 64 ms
Gold contact pad
HYS64V8000GCD and HYS64V160(2)0GCD in COB techniques with 1” height only
This SDRAM product familiy is intended to be fully pin and architecture compatible with the 144
pin SO-DIMM DRAM module family.
Semiconductor Group
1
7.98

HYS64V8000GD-10相似产品对比

HYS64V8000GD-10 HYS64V4000GD-10 HYS64V1600GCD-10 HYS64V1620GCD-10
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称 SIEMENS SIEMENS SIEMENS SIEMENS
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE
针数 144 144 144 144
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 8 ns 8 ns 8 ns 8 ns
JESD-30 代码 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144 R-XDMA-N144
内存密度 536870912 bit 268435456 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 144 144 144 144
字数 8388608 words 4194304 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 8000000 4000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX64 4MX64 16MX64 16MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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