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HYS64V4000GD-10: 产品描述Synchronous DRAM Module, 4MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144; 产品类别存储存储; 文件大小219KB，共19页; 制造商SIEMENS; 官网地址http://www.infineon.com/

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HYS64V4000GD-10概述

Synchronous DRAM Module, 4MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144

HYS64V4000GD-10规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SIEMENS
零件包装代码	MODULE
包装说明	,
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	8 ns
JESD-30 代码	R-XDMA-N144
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	144
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

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3.3V SDRAM Modules

144 pin SO-DIMM SDRAM Modules

16MB, 32MB, 64MB & 128 MB density

HYS64Vx00(2)0G(C)D-10

•

144 Pin JEDEC Standard, 8 Byte Small Outline Dual-In-Line Synchronous DRAM Modules

for PC notebook applications

•

One bank 2M x 64, 4M x 64, 8M x 64 and 16M x 64 non-parity module organisation

•

Two bank 16M x 64 organisation

•

Performance:

-10

PC66

Clock frequency (max.)

Clock access time

CAS latency = 2 & 3

Units

MHz

•

Single +3.3V(± 0.3V ) power supply

•

Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence

(Sequential & Interleave)

•

Auto Refresh (CBR) and Self Refresh

•

Decoupling capacitors mounted on substrate

•

All inputs, outputs are LVTTL compatible

•

Serial Presence Detect with E

PROM

•

4096 refresh cycles every 64 ms

•

Gold contact pad

•

HYS64V8000GCD and HYS64V160(2)0GCD in COB techniques with 1” height only

•

This SDRAM product familiy is intended to be fully pin and architecture compatible with the 144

pin SO-DIMM DRAM module family.

Semiconductor Group

7.98

HYS64V4000GD-10相似产品对比

	HYS64V4000GD-10	HYS64V1600GCD-10	HYS64V8000GD-10	HYS64V1620GCD-10
描述	Synchronous DRAM Module, 4MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 8ns, CMOS, SODIMM-144
厂商名称	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS	SIEMENS
零件包装代码	MODULE	MODULE	MODULE	MODULE
针数	144	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	8 ns	8 ns	8 ns	8 ns
JESD-30 代码	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144	R-XDMA-N144
内存密度	268435456 bit	1073741824 bit	536870912 bit	1073741824 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	144	144	144	144
字数	4194304 words	16777216 words	8388608 words	16777216 words
字数代码	4000000	16000000	8000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX64	16MX64	8MX64	16MX64
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL

HYS64V4000GD-10

HYS64V4000GD-10概述

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